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零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
G35N02K
单 FET、MOSFET
Goford Semiconductor
N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18
-
卷带式 (TR)
317
价格:
$0.4730
库存: 317
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$770.0000

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$1,787.5000

25000

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$3,575.0000

62500

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产品详情
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G35N02K
零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
规格书
G35N02K
单 FET、MOSFET
Goford Semiconductor
N20V,RD(MAX)<13
单 FET、MOSFET
卷带式 (TR)
317 
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C35A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs13mOhm @ 20A, 4.5V
功耗(最大)40W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id1.2V @ 250µA
供应商设备包TO-252
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)2.5V, 4.5V
Vgs(最大)±12V
漏源电压 (Vdss)20 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs24 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1380 pF @ 10 V
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