0755-89587716
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零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
G01N20LE
单 FET、MOSFET
Goford Semiconductor
N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
-
卷带式 (TR)
926
价格:
$0.4510
库存: 926
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产品详情
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G01N20LE
零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
规格书
G01N20LE
单 FET、MOSFET
Goford Semiconductor
N200V,RD(MAX)<8
单 FET、MOSFET
卷带式 (TR)
926 
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C1.7A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs700mOhm @ 1A, 10V
功耗(最大)1.5W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 250µA
供应商设备包SOT-23-3
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)200 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs12 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds580 pF @ 25 V
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