0755-89587716
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零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
TW015Z120C,S1F
单 FET、MOSFET
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
-
管子
98
价格:
$67.4630
库存: 98
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价格

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1

$67.4630

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$1,778.3700

120

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产品详情
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TW015Z120C,S1F
零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
规格书
TW015Z120C,S1F
单 FET、MOSFET
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
G3 1200V SIC-MO
单 FET、MOSFET
管子
98 
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
系列-
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-247-4
安装类型Through Hole
工作温度175°C
技术SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C100A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs21mOhm @ 50A, 18V
功耗(最大)431W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id5V @ 11.7mA
供应商设备包TO-247-4L(X)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)18V
Vgs(最大)+25V, -10V
漏源电压 (Vdss)1200 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs158 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds6000 pF @ 800 V
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