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零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
TPH3208LDG
单 FET、MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
-
管子
9
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$12.0010
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产品详情
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TPH3208LDG
零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
规格书
TPH3208LDG
单 FET、MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
单 FET、MOSFET
管子
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Transphorm
系列-
包裹管子
产品状态OBSOLETE
包装/箱3-PowerDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C20A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs130mOhm @ 13A, 8V
功耗(最大)96W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.6V @ 300µA
供应商设备包3-PQFN (8x8)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±18V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs14 nC @ 8 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds760 pF @ 400 V
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