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零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
TP65H150G4LSG
单 FET、MOSFET
Transphorm
GAN FET N-CH 650V PQFN
-
托盘
2834
价格:
$5.5660
库存: 2834
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数量

价格

总价

1

$5.5660

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10

$4.9940

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$4.0920

$409.2000

500

$3.4870

$1,743.5000

1000

$2.9370

$2,937.0000

3000

$2.5850

$7,755.0000

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产品详情
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TP65H150G4LSG
零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
规格书
TP65H150G4LSG
单 FET、MOSFET
Transphorm
GAN FET N-CH 65
单 FET、MOSFET
托盘
2834 
-
产品参数
类型描述
制造商Transphorm
系列-
包裹托盘
产品状态ACTIVE
包装/箱3-PowerTDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C13A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs180mOhm @ 8.5A, 10V
功耗(最大)52W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.8V @ 500µA
供应商设备包3-PQFN (8x8)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs8 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds598 pF @ 400 V
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