0755-89587716
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零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
TP65H070G4QS-TR
单 FET、MOSFET
Transphorm
650 V 29 A GAN FET
-
卷带式 (TR)
0
价格:
$9.4710
总数

数量

价格

总价

1

$9.4710

$9.4710

10

$8.1180

$81.1800

100

$6.7650

$676.5000

500

$5.9620

$2,981.0000

1000

$5.3680

$5,368.0000

2000

$5.0270

$10,054.0000

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产品详情
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TP65H070G4QS-TR
零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
规格书
TP65H070G4QS-TR
单 FET、MOSFET
Transphorm
650 V 29 A GAN
单 FET、MOSFET
卷带式 (TR)
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Transphorm
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerSFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C29A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs85mOhm @ 16A, 10V
功耗(最大)96W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.8V @ 700µA
供应商设备包TOLL
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs8.4 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds600 pF @ 400 V
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