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零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
TP44400SG
单 FET、MOSFET
Tagore Technology
GAN FET HEMT 650V .36OHM 22QFN
-
卷带式 (TR)
2960
价格:
$2.3430
库存: 2960
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价格

总价

1

$2.3430

$2.3430

10

$2.0240

$20.2400

100

$1.7490

$174.9000

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$1.4080

$704.0000

3000

$1.4080

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产品详情
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TP44400SG
零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
规格书
TP44400SG
单 FET、MOSFET
Tagore Technology
GAN FET HEMT 65
单 FET、MOSFET
卷带式 (TR)
2960 
-
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Tagore Technology
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱22-PowerVFQFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C6.5A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs360mOhm @ 500mA, 6V
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 2.8mA
供应商设备包22-QFN (5x7)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)0V, 6V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs0.75 nC @ 6 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds28 pF @ 400 V
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