0755-89587716
  • image of 单 FET、MOSFET>PJQ4437EP-AU_R2_002A1
  • image of 单 FET、MOSFET>PJQ4437EP-AU_R2_002A1
零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
PJQ4437EP-AU_R2_002A1
单 FET、MOSFET
PANJIT
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
-
卷带式 (TR)
4980
价格:
$0.7920
库存: 4980
总数

数量

价格

总价

1

$0.7920

$0.7920

10

$0.6820

$6.8200

100

$0.4730

$47.3000

500

$0.3960

$198.0000

1000

$0.3410

$341.0000

2000

$0.2970

$594.0000

5000

$0.2750

$1,375.0000

10000

$0.2530

$2,530.0000

25000

$0.2530

$6,325.0000

获取报价信息
产品详情
image of 单 FET、MOSFET>PJQ4437EP-AU_R2_002A1
PJQ4437EP-AU_R2_002A1
零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
规格书
PJQ4437EP-AU_R2_002A1
单 FET、MOSFET
PANJIT
30V P-CHANNEL E
单 FET、MOSFET
卷带式 (TR)
4980 
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商PANJIT
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerVDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型P-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs15.4mOhm @ 10A, 10V
功耗(最大)2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 250µA
供应商设备包DFN3333-8
年级Automotive
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±25V
漏源电压 (Vdss)30 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs32 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1270 pF @ 25 V
资质AEC-Q101
captcha

在线服务

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
服务时间: 周一至周六9:00-18:00
0755-89587716

在线服务

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:

在线服务

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:
点击这里给我发消息 点击这里给我发消息
0