0755-89587716
  • image of FET、MOSFET 阵列>NXV08A170DB2
  • image of FET、MOSFET 阵列>NXV08A170DB2
零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
NXV08A170DB2
FET、MOSFET 阵列
Sanyo Semiconductor/onsemi
APM12-CBA, MV7 80V, AL2O3, HALF
-
托盘
0
价格:
$14.4980
总数

数量

价格

总价

1

$20.9990

$20.9990

10

$19.2940

$192.9400

25

$18.5020

$462.5500

80

$15.4990

$1,239.9200

288

$14.4980

$4,175.4240

576

$13.4970

$7,774.2720

获取报价信息
产品详情
image of FET、MOSFET 阵列>NXV08A170DB2
NXV08A170DB2
零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
规格书
NXV08A170DB2
FET、MOSFET 阵列
Sanyo Semiconductor/onsemi
APM12-CBA, MV7
FET、MOSFET 阵列
托盘
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Sanyo Semiconductor/onsemi
系列-
包裹托盘
产品状态ACTIVE
包装/箱12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm)
安装类型Through Hole
配置2 N-Channel (Half Bridge)
工作温度175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)80V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C200A (Tj)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds14000pF @ 40V
Rds On(最大)@Id、Vgs0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs195nC @ 10V
Vgs(th)(最大值)@Id4V @ 250µA
供应商设备包APM12-CBA
年级Automotive
资质AEC-Q100
captcha

在线服务

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
服务时间: 周一至周六9:00-18:00
0755-89587716

在线服务

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:

在线服务

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:
点击这里给我发消息 点击这里给我发消息
0