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零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
IPTC026N12NM6ATMA1
单 FET、MOSFET
IR (Infineon Technologies)
TRENCH >=100V
-
卷带式 (TR)
0
价格:
$3.7730
总数

数量

价格

总价

1

$6.6550

$6.6550

10

$6.0060

$60.0600

25

$5.7310

$143.2750

100

$4.9720

$497.2000

250

$4.7520

$1,188.0000

500

$4.3340

$2,167.0000

1800

$3.7730

$6,791.4000

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产品详情
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IPTC026N12NM6ATMA1
零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
规格书
IPTC026N12NM6ATMA1
单 FET、MOSFET
IR (Infineon Technologies)
TRENCH >=100V
单 FET、MOSFET
卷带式 (TR)
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商IR (Infineon Technologies)
系列OptiMOS™ 6
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱16-PowerSOP Module
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C26A (Ta), 222A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs2.6mOhm @ 115A, 10V
功耗(最大)3.8W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id3.6V @ 169µA
供应商设备包PG-HDSOP-16-2
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)8V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)120 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs88 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds6500 pF @ 60 V
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