0755-89587716
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零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
BY25Q80BSSIG(R)
记忆
BYTe Semiconductor
8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
-
卷带式 (TR)
4000
价格:
$0.1870
库存: 4000
总数

数量

价格

总价

1

$0.5170

$0.5170

10

$0.4400

$4.4000

25

$0.4180

$10.4500

100

$0.3300

$33.0000

250

$0.3080

$77.0000

500

$0.2640

$132.0000

1000

$0.1980

$198.0000

2000

$0.1870

$374.0000

6000

$0.1760

$1,056.0000

10000

$0.1650

$1,650.0000

50000

$0.1430

$7,150.0000

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产品详情
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BY25Q80BSSIG(R)
零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
规格书
BY25Q80BSSIG(R)
记忆
BYTe Semiconductor
8 MBIT, 3.0V (2
记忆
卷带式 (TR)
4000 
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商BYTe Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
安装类型Surface Mount
内存大小8Mbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源2.7V ~ 3.6V
技术FLASH - NOR (SLC)
时钟频率108 MHz
内存格式FLASH
供应商设备包8-SOP
写入周期时间 - 字、页50µs, 2.4ms
内存接口SPI - Quad I/O, QPI
存取时间7 ns
记忆组织1M x 8
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