在线服务
服务时间： 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服：
请选择在线客服：
0755-83990319
IS43R83200F-6TL
零件编号：
IS43R83200F-6TL
产品分类：
记忆
制造商：
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
描述：
IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
封装：
Tube
包装：
数量：
1600
RoHS 状态：
NO
安装类型
Surface Mount
DigiKey 可编程
Not Verified
内存类型
Volatile
工作温度
0°C ~ 70°C (TA)
电压 - 电源
2.3V ~ 2.7V
Memory Interface
Parallel
内存格式
DRAM
时钟频率
166 MHz
Write Cycle Time - Word, Page
15ns
内存大小
256Mbit
Memory Organization
32M x 8
技术
SDRAM - DDR
Access Time
700 ps
包装/箱
66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供应商设备包
66-TSOP II
最新产品
MM74C89N
IC RAM 64BIT PARALLEL 16DIP
Sanyo Semiconductor/onsemi
MM74C910N
IC RAM 256BIT PARALLEL 18DIP
Sanyo Semiconductor/onsemi
NMC27C64N200
IC EPROM 64KBIT PARALLEL 28DIP
Sanyo Semiconductor/onsemi
74F189PC
IC RAM 64BIT PARALLEL 16DIP
Sanyo Semiconductor/onsemi
74F219PC
IC RAM 64BIT PARALLEL 16DIP
Sanyo Semiconductor/onsemi
NMC27C64Q150
IC EPROM 64KBIT PARALLEL 28CDIP
Sanyo Semiconductor/onsemi
93LC56/P
IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8DIP
Roving Networks (Microchip Technology)
93LC56/SN
IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8SOIC
Roving Networks (Microchip Technology)
在线服务
服务时间： 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服：
请选择在线客服：
info@penghe-ic.com
